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氧化/扩散炉
发布人:施安峰  发布时间:2019-12-12   浏览次数:82

型号:M5111-2/VM
厂商:中国电子科技集团公司第四十八研究所



设备参数:
(1)该设备为单管式结构,炉膛有效内径Φ180mm(适用于4英寸硅片)。
(2)反应气体:氧气,适用于干氧、湿氧氧化。
(3)?;て澹旱?br />(4)恒温区长度及精度:
            ≤ ±1℃/400mm (801—1100℃) 、
            ≤ ±1.5℃/400mm (400—800℃)。
            三点控温是SPIKE测量点都使用双热电偶,在一只热电偶断路时另一只能继续完成工艺,

(5)程序控制单元,气体/压力控制精度±0.5%。
(5)样品尺寸及片数,一次最多可以装载20片4英寸。


主要用途:

    该设备主要用于MEMS和半导体器件制造中的氧化/扩散、退火吸杂和合金工艺,同时还适用于对其它材料的特殊温度处理。热氧化法是在高温下(900℃-1100℃)使硅片表面形成二氧化硅膜的方法,热氧化的目的是在硅片上制作出一定质量要求的二氧化硅膜,对硅片或器件起?;?、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。

 
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